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HAT2266H-EL-E备选型号: FDMS5361L-F085
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4 Tab) LFPAK T/R16 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-6695SILICON30A Ta2.5V @ 1mA2006150°C TJTape & Reel (TR)e4yes不用于新设计1 (Unlimited)4EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)SINGLE鸥翼R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET23WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 15A, 10V3600pF @ 10V25nC @ 4.5V15ns60V±20V5.5 ns30A20V60V无ROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 60V 35A POWER56-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-52 ns3V @ 250μA--55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3yesObsolete1 (Unlimited)--Tin (Sn)-------16 nsN-Channel-15m Ω @ 16.5A, 10V1980pF @ 25V44nC @ 10V10ns-±20V8 ns35A20V--ROHS3 Compliant-172.8mgAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®260未说明1Single60Vnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | 对比 |
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