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首页 全部分类 HBDM60V600W-7 vs DRDP006W-7

HBDM60V600W-7备选型号: DRDP006W-7

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 端子表面处理
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  • 元素配置
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  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 晶体管应用
  • 最小直流增益（hFE）
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    HBDM60V600W-7
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT 200mW Half H-Bridge
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    SILICON
    60V
    -500mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    200mW
    鸥翼
    260
    100MHz
    40
    HBDM60V600
    6
    NPN, PNP
    Dual
    200mW
    100MHz
    NPN, PNP
    400mV
    600mA
    100 @ 100mA 1V / 100 @ 150mA 10V
    100nA
    400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
    65V 60V
    100MHz
    60V
    80V
    6V
    500mA
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DRDP006W-7
    Diodes Incorporated
    Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
    11 Weeks
    表面贴装
    -
    SOT-363
    6
    6.010099mg
    -
    60V
    -400mV
    -
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    200mW
    鸥翼
    260
    100MHz
    40
    -
    6
    PNP
    Single
    200mW
    200MHz
    -
    60V
    600mA
    -
    -
    -
    -
    200MHz
    60V
    45V
    -5V
    -
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    2008
    150°C
    -55°C
    -60V
    DUAL
    -600mA
    SWITCHING
    100
    无铅
  • 添加型号
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