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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.217966
10
¥0.205627
100
¥0.193989
500
¥0.183008
1000
¥0.172649
Diodes Incorporated MMDT2227-7-F
- 收藏
- 对比
MMDT2227-7-F
671-MMDT2227-7-F
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMDT2227-7-F详情
Diodes Incorporated MMDT2227-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
SOT-363
质量
6.010099mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
285 ns
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
200mW
额定电流
600mA
频率
300MHz
基本部件号
MMDT2227
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
接通延迟时间
35 ns
功率 - 最大
200mW
增益带宽积
300MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
1V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V 60V
最高频率
300MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
300MHz 200MHz
集电极基极电压(VCBO)
75V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
600mA
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMDT2227-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
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