Diodes Incorporated HBDM60V600W-7

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA 600mA

Number of Elements

2

hFEMin

50

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

HBDM60V600

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

200mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V / 100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

65V 60V

转换频率

100MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

500mA

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant