HCT802备选型号: RV1C001ZPT2L
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
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- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD25 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, No Lead66-SMD2A 1.1A-55°C~150°C TJBulk1997Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C500mWDual1.5W500mWN and P-Channel5Ohm @ 1A, 10V2.5V @ 1mA70pF @ 25V90V1.1A20V90V70pFStandard5Ohm5 Ω2.032mm6.35mm4.445mmNon-RoHS Compliant----------------
- MOSFET P-CH 20V 0.1A VML080616 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, No Lead--100mA Ta150°C TJCut Tape (CT)2016活跃1 (Unlimited)----100mW-P-Channel3.8 Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 100μA15pF @ 10V20V100mA--20V-------ROHS3 CompliantSILICON3EAR99BOTTOM未说明未说明R-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR增强型MOSFETDRAINSWITCHING62ns±10V137 ns0.1A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RV1C001ZPT2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, No Lead | MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806 | 对比 | |
| RZF013P01TL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 | 对比 | |
| VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 | 对比 |



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