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首页 全部分类 HCT802 vs RZF013P01TL

HCT802备选型号: RZF013P01TL

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  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • TT Electronics/Optek Technology
    HCT802
    TT Electronics/Optek Technology
    MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
    25 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, No Lead
    6
    6-SMD
    2A 1.1A
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    500mW
    Dual
    1.5W
    500mW
    N and P-Channel
    5Ohm @ 1A, 10V
    2.5V @ 1mA
    70pF @ 25V
    90V
    1.1A
    20V
    90V
    70pF
    Standard
    5Ohm
    5 Ω
    2.032mm
    6.35mm
    4.445mm
    Non-RoHS Compliant
    -
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  • ROHM Semiconductor
    RZF013P01TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    -
    -
    1.3A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    260m Ω @ 1.3A, 4.5V
    1V @ 1mA
    290pF @ 6V
    12V
    1.3A
    -
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    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e2
    yes
    3
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    260
    10
    3
    R-PDSO-F3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    2.4nC @ 4.5V
    ±10V
    0.26Ohm
    12V
    无铅
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