HCT802TX备选型号: RZF013P01TL
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD表面贴装表面贴装6-SMD, No Lead66-SMD2A 1.1A-55°C~150°C TJBulk1997Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C500mWDual1.5W500mWN and P-Channel5Ohm @ 1A, 10V2.5V @ 1mA70pF @ 25V90V1.1A20V90V70pFStandard5Ohm5 Ω2.032mm6.35mm4.445mmNon-RoHS Compliant---------------------
- MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead--1.3A Ta150°C TJCut Tape (CT)2009活跃1 (Unlimited)------P-Channel260m Ω @ 1.3A, 4.5V1V @ 1mA290pF @ 6V12V1.3A---------ROHS3 Compliant16 WeeksSILICONe2yes3EAR99Tin/Copper (Sn/Cu)DUAL260103R-PDSO-F3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING2.4nC @ 4.5V±10V0.26Ohm12V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RV1C001ZPT2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, No Lead | MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806 | 对比 | |
| RZF013P01TL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 | 对比 | |
| VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 | 对比 |



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