HFA3127BZ备选型号: ULN2003ADR2G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 极性
- 配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 转换频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最小直流增益(hFE)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 附加功能
- 基本部件号
- 输出电压
- 通道数量
- 无卤素
- 晶体管类型
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- INTERSIL HFA3127BZ Bipolar Transistor Array, NPN, 8 V, 150 mW, 37 mA, 130, SOIC7 Weeks表面贴装SOIC168V500mVBulk2000e3yes活跃3 (168 Hours)16EAR99Matte Tin (Sn) - annealed125°C-55°C8541.21.00.758VDUAL鸥翼26065mA8GHz3016NPNSEPARATE, 5 ELEMENTS150mWAMPLIFIER8 GHz8V65mAMS-012AC8000MHz8GHz12V5.5V4065mA1.5mm10mm4mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--------------
- ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC11 Weeks表面贴装16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)1650V1.6VTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)16EAR99-----DUAL鸥翼----16NPN--SWITCHING-50V500mA-------1.5mm10mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)Tin表面贴装SILICON-20°C~85°C TA逻辑电平兼容UL*2003A50V3无卤素7 NPN Darlington1000 @ 350mA 2V50μA1.6V @ 500μA, 350mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MC1413BDG | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - MC1413BDG - IC, DARL TRANS ARRAY, NPN, 2V, SOIC-16 | 对比 | |
| ULN2003ADR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC | 对比 |



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