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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥115.955711
10
¥109.392178
100
¥103.200169
500
¥97.358651
1000
¥91.84778
Intersil (Renesas Electronics America) HFA3127BZ
- 收藏
- 对比
HFA3127BZ
1244-HFA3127BZ
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SOIC
大陆
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INTERSIL HFA3127BZ Bipolar Transistor Array, NPN, 8 V, 150 mW, 37 mA, 130, SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
HFA3127BZ详情
Intersil (Renesas Electronics America) HFA3127BZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SOIC
引脚数
16
Collector-Emitter Breakdown Voltage
8V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Frequency(Max)
8GHz
Number of Elements
5
Power Dissipation (Max)
150mW
包装
Bulk
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
8V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
65mA
频率
8GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
16
极性
NPN
配置
SEPARATE, 5 ELEMENTS
功率耗散
150mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
8 GHz
集电极发射器电压(VCEO)
8V
最大集电极电流
65mA
JEDEC-95代码
MS-012AC
转换频率
8000MHz
频率转换
8GHz
集电极基极电压(VCBO)
12V
发射极基极电压 (VEBO)
5.5V
最小直流增益(hFE)
40
连续集电极电流
65mA
高度
1.5mm
长度
10mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
HFA3127BZ拓展信息
Intersil
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