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首页 全部分类 HGTD3N60C3S9A vs FGD3N60UNDF

HGTD3N60C3S9A备选型号: FGD3N60UNDF

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  • IGBT类型
  • Td（开/关）@25°C
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HGTD3N60C3S9A
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 6A 33W TO252AA
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    600V
    1.65V
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    33W
    6A
    Single
    33W
    Standard
    600V
    6A
    2V @ 15V, 3A
    10.8nC
    24A
    85μJ (on), 245μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGD3N60UNDF
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    600V
    2.4V
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    60W
    -
    Single
    60W
    Standard
    600V
    6A
    2.52V @ 15V, 3A
    1.6nC
    9A
    52μJ (on), 30μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    260.37mg
    SILICON
    2013
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    鸥翼
    FGD3N60
    R-PSSO-G2
    COLLECTOR
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    21ns
    600V
    7.4 ns
    146 ns
    NPT
    5.5ns/22ns
    20V
    8.5V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无
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