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HGTG30N60B3D备选型号: STGW30V60DF
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- 零件状态
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- 电压 - 额定直流
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- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- IGBT类型
- 高度
- 长度
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IGBT 600V 60A 208W TO247ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V1.45V-55°C~150°C TJTube2011e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95600V208W60AHGTG30N60Single208WStandard36 ns电源控制25nsN-CHANNEL600V60A55 ns56 ns1.9V @ 15V, 30A365 ns170nC220A36ns/137ns550μJ (on), 680μJ (off)无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
IGBT 600V 60A 258W TO247-通孔通孔TO-247-33-SILICON600V2.35V-55°C~175°C TJTube---活跃1 (Unlimited)3EAR99----258W-STGW30Single258WStandard-电源控制-N-CHANNEL600V60A53 ns59 ns2.3V @ 15V, 30A225 ns163nC120A45ns/189ns383μJ (on), 233μJ (off)-无ROHS3 Compliant-20 Weeks沟渠现场停车20.15mm15.75mm5.15mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH60N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 120A 298W TO247 | 对比 |
| STGW35NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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