ON Semiconductor HGTG30N60B3D

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 30A, 3 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

137 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

208W

额定电流

60A

基本部件号

HGTG30N60

元素配置

Single

功率耗散

208W

输入类型

Standard

接通延迟时间

36 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

25ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

55 ns

接通时间

56 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

365 ns

闸门收费

170nC

集极脉冲电流（Icm）

220A

Td（开/关）@25°C

36ns/137ns

开关能量

550μJ (on), 680μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅