STMicroelectronics STGW30V60DF

工厂交货时间

20 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.35V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

258W

基本部件号

STGW30

元素配置

Single

功率耗散

258W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

53 ns

接通时间

59 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

225 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

163nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

45ns/189ns

开关能量

383μJ (on), 233μJ (off)

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant