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首页 全部分类 HGTP12N60A4D vs IRG4BC40SPBF

HGTP12N60A4D备选型号: IRG4BC40SPBF

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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • ON Semiconductor
    HGTP12N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 54A 167W TO220AB
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2002
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    167W
    54A
    HGTP12N60
    Single
    167W
    COLLECTOR
    Standard
    17 ns
    电源控制
    8ns
    N-CHANNEL
    600V
    54A
    18 ns
    33 ns
    2.7V @ 15V, 12A
    54A
    180 ns
    78nC
    96A
    17ns/96ns
    55μJ (on), 50μJ (off)
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4BC40SPBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 5, Infineon IRG4BC40SPBF IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-220AB
    -
    16 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    160W
    -
    -
    Dual
    160W
    COLLECTOR
    Standard
    22 ns
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    1.5V
    60A
    -
    44 ns
    1.5V @ 15V, 31A
    -
    1940 ns
    100nC
    120A
    22ns/650ns
    450μJ (on), 6.5mJ (off)
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    TO-220AB
    20V
    6V
    570ns
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