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首页 全部分类 HGTP12N60A4D vs IRGB6B60KPBF

HGTP12N60A4D备选型号: IRGB6B60KPBF

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  • 开关能量
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • JEDEC-95代码
  • IGBT类型
  • ON Semiconductor
    HGTP12N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 54A 167W TO220AB
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2002
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    167W
    54A
    HGTP12N60
    Single
    167W
    COLLECTOR
    Standard
    17 ns
    电源控制
    8ns
    N-CHANNEL
    600V
    54A
    18 ns
    33 ns
    2.7V @ 15V, 12A
    54A
    180 ns
    78nC
    96A
    17ns/96ns
    55μJ (on), 50μJ (off)
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGB6B60KPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 13A 90W TO220AB
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    600V
    90W
    13A
    -
    Single
    90W
    COLLECTOR
    Standard
    -
    MOTOR CONTROL
    17ns
    N-CHANNEL
    2.2V
    13A
    -
    45 ns
    2.2V @ 15V, 5A
    -
    258 ns
    18.2nC
    26A
    25ns/215ns
    110μJ (on), 135μJ (off)
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    通孔
    TO-220AB
    NPT
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