Infineon Technologies IRGB6B60KPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 5A, 100 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

90W

额定电流

13A

元素配置

Single

功率耗散

90W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

17ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.2V

最大集电极电流

13A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

258 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

18.2nC

集极脉冲电流（Icm）

26A

Td（开/关）@25°C

25ns/215ns

开关能量

110μJ (on), 135μJ (off)

高度

8.77mm

长度

10.54mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅