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首页 全部分类 HGTP12N60C3D vs IRG4BC30FDPBF

HGTP12N60C3D备选型号: IRG4BC30FDPBF

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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • Td（开/关）@25°C
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    HGTP12N60C3D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 24A 104W TO220AB
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    1.65V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    104W
    24A
    HGTP12N60
    NPN
    Single
    104W
    COLLECTOR
    Standard
    28 μs
    MOTOR CONTROL
    600V
    24A
    40 ns
    TO-220AB
    48 ns
    2.2V @ 15V, 15A
    480 ns
    48nC
    96A
    380μJ (on), 900μJ (off)
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30FDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 31A 100W TO220AB
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    1.59V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1998
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    600V
    100W
    31A
    -
    -
    Single
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    42 ns
    电源控制
    1.8V
    31A
    42 ns
    TO-220AB
    69 ns
    1.8V @ 15V, 17A
    620 ns
    51nC
    124A
    630μJ (on), 1.39mJ (off)
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    26ns
    N-CHANNEL
    42ns/230ns
    20V
    6V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
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