Infineon Technologies IRG4BC30FDPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.59V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 17A, 23 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

230 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1998

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

100W

额定电流

31A

元素配置

Single

功率耗散

100W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

42 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

26ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

31A

反向恢复时间

42 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

69 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 17A

关断时间-标准值（toff)

620 ns

闸门收费

51nC

集极脉冲电流（Icm）

124A

Td（开/关）@25°C

42ns/230ns

开关能量

630μJ (on), 1.39mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

高度

8.77mm

长度

10.54mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅