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首页 全部分类 HGTP7N60A4 vs IRG4BC30FDPBF

HGTP7N60A4备选型号: IRG4BC30FDPBF

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  • 开关能量
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ON Semiconductor
    HGTP7N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 34A 125W TO220AB
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    125W
    34A
    HGTP7N60
    Single
    125W
    COLLECTOR
    Standard
    11 ns
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    600V
    34A
    TO-220AB
    17 ns
    2.7V @ 15V, 7A
    205 ns
    37nC
    56A
    11ns/100ns
    55μJ (on), 60μJ (off)
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30FDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 31A 100W TO220AB
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    1.59V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1998
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    600V
    100W
    31A
    -
    Single
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    42 ns
    电源控制
    26ns
    N-CHANNEL
    1.8V
    31A
    TO-220AB
    69 ns
    1.8V @ 15V, 17A
    620 ns
    51nC
    124A
    42ns/230ns
    630μJ (on), 1.39mJ (off)
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    42 ns
    20V
    6V
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