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首页 全部分类 HGTP7N60A4 vs IRG4BC30SPBF

HGTP7N60A4备选型号: IRG4BC30SPBF

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  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
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  • 开关能量
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • ON Semiconductor
    HGTP7N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 34A 125W TO220AB
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    125W
    34A
    HGTP7N60
    Single
    125W
    COLLECTOR
    Standard
    11 ns
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    600V
    34A
    TO-220AB
    17 ns
    2.7V @ 15V, 7A
    205 ns
    37nC
    56A
    11ns/100ns
    55μJ (on), 60μJ (off)
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 34A 100W TO220AB
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    1.4V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    e3
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    600V
    100W
    34A
    -
    Dual
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    22 ns
    电源控制
    18ns
    N-CHANNEL
    1.6V
    34A
    TO-220AB
    40 ns
    1.6V @ 15V, 18A
    1550 ns
    50nC
    68A
    22ns/540ns
    260μJ (on), 3.45mJ (off)
    15.24mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    SINGLE
    250
    30
    20V
    6V
    590ns
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