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首页 全部分类 HUF76629D3ST-F085 vs NVD6495NLT4G

HUF76629D3ST-F085备选型号: NVD6495NLT4G

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  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 通道数量
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    HUF76629D3ST-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET UltraFET Power MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.36202mg
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    哑光锡
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1280pF @ 25V
    43nC @ 10V
    12ns
    ±16V
    5 ns
    20A
    16V
    100V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVD6495NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    10
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    -
    50m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    1.024nF @ 25V
    35nC @ 10V
    91ns
    ±20V
    71 ns
    25A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    20 Weeks
    2014
    yes
    SINGLE
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    0.054Ohm
    80A
    79 mJ
    无铅
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