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HUF76639S3ST-F085备选型号: HUFA76639S3S
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- JESD-609代码
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- 零件状态
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- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 下降时间（典型值）
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- RoHS状态
- 供应商器件包装
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- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
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- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
MOSFET N CH 100V 51A TO-263ABLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON51A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™e3yesObsolete1 (Unlimited)226mOhmTin (Sn)超低电阻鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET180WDRAINN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 51A, 10V3V @ 250μA2400pF @ 25V86nC @ 10V207ns±16V136 ns51A50A100V符合RoHS标准------------- MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--51A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™--Obsolete1 (Unlimited)--------Single-180W-N-Channel-26mOhm @ 51A, 10V3V @ 250μA2400pF @ 25V86nC @ 10V55ns±16V110 ns51A-100V符合RoHS标准D2PAK (TO-263AB)2002175°C-55°C100V50A100V16V2.4nF23mOhm26 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA75639S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm | 对比 |
 | IRFS59N10DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
| HUFA76639S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | 对比 |
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