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HUF76639S3ST-F085备选型号: IRFS59N10DTRLP
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 已出版
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 资历状况
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N CH 100V 51A TO-263ABLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON51A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™e3yesObsolete1 (Unlimited)226mOhmTin (Sn)超低电阻鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET180WDRAINN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 51A, 10V3V @ 250μA2400pF @ 25V86nC @ 10V207ns±16V136 ns51A50A100V符合RoHS标准-----------------
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON59A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-不用于新设计1 (Unlimited)225mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET200WDRAINN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 35.4A, 10V5.5V @ 250μA2450pF @ 25V114nC @ 10V90ns±30V12 ns59A-100VROHS3 Compliant14 Weeks32004EAR99100V59A不合格16 ns5.5V30V100V5.5 V4.826mm10.668mm10.54mm无SVHCContains Lead, Lead Free- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA75639S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm | 对比 |
| IRFS59N10DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
| HUFA76639S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | 对比 |
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