ON Semiconductor HUF76639S3ST-F085

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

51A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

180W Tc

Turn Off Delay Time

83 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

UltraFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

电阻

26mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 51A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

86nC @ 10V

上升时间

207ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

136 ns

连续放电电流(ID)

51A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏源击穿电压

100V

RoHS状态

符合RoHS标准