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首页 全部分类 IDH04G65C5XKSA2 vs MUR550PFG

IDH04G65C5XKSA2备选型号: MUR550PFG

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  • 箱体转运
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  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
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  • 反向电流-最大值
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 二极管元件材料
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 输出电流
  • 最大浪涌电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IDH04G65C5XKSA2
    Infineon Technologies
    DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1
    18 Weeks
    通孔
    TO-220-2
    NO
    2
    1
    Tube
    CoolSiC™+
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    70μA @ 650V
    1.7V @ 4A
    CATHODE
    4A
    -55°C~175°C
    4A
    4A DC
    650V
    4A
    1
    0 s
    130pF @ 1V 1MHz
    70μA
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUR550PFG
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 520V 5A TO220AC
    2 Weeks
    通孔
    TO-220-2
    NO
    2
    1
    Tube
    SWITCHMODE™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    超快恢复
    8541.10.00.80
    SINGLE
    -
    -
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 520V
    1.15V @ 5A
    -
    5A
    -65°C~175°C
    -
    -
    520V
    5A
    1
    95 ns
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    SILICON
    175°C
    -65°C
    低漏电流
    500V
    5A
    MUR550
    2
    共阴极
    5A
    100A
    5μA
    520V
    100A
    520V
    100A
    95 ns
    4.82mm
    10.29mm
    15.75mm
    无
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