Infineon Technologies IDH04G65C5XKSA2

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

表面安装

NO

引脚数

2

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

Power Dissipation (Max)

48W

包装

Tube

系列

CoolSiC™+

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

EFFICIENCY

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

70μA @ 650V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7V @ 4A

箱体转运

CATHODE

正向电流

4A

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

输出电流-最大值

4A

平均整流电流（Io）

4A DC

最大反向电压（DC）

650V

平均整流电流

4A

相位的数量

1

反向恢复时间

0 s

电容@Vr, F

130pF @ 1V 1MHz

反向电流-最大值

70μA

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅