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首页 全部分类 IDH04G65C5XKSA2 vs STPSC4H065D

IDH04G65C5XKSA2备选型号: STPSC4H065D

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  • 平均整流电流
  • 相位的数量
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  • 生命周期状态
  • 底架
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • Infineon Technologies
    IDH04G65C5XKSA2
    Infineon Technologies
    DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1
    18 Weeks
    通孔
    TO-220-2
    NO
    2
    1
    Tube
    CoolSiC™+
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    70μA @ 650V
    1.7V @ 4A
    CATHODE
    4A
    -55°C~175°C
    4A
    4A DC
    650V
    4A
    1
    0 s
    130pF @ 1V 1MHz
    70μA
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STPSC4H065D
    STMicroelectronics
    DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
    14 Weeks
    通孔
    TO-220-2
    -
    2
    1
    Tube
    -
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    POWER
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    40μA @ 650V
    1.75V @ 4A
    CATHODE
    4A
    -40°C~175°C
    4A
    -
    650V
    4A
    1
    0ns
    200pF @ 0V 1MHz
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    通孔
    175°C
    -40°C
    STPSC4
    Single
    170μA
    200A
    1.75V
    40μA
    650V
    200A
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