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首页 全部分类 IGW100N60H3FKSA1 vs FGH60N60SMD

IGW100N60H3FKSA1备选型号: FGH60N60SMD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 生命周期状态
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  • 终止次数
  • 附加功能
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  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IGW100N60H3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 140A TO247-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    714W
    未说明
    未说明
    Standard
    714W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    600V
    140A
    2.3V @ 15V, 100A
    沟渠现场停车
    625nC
    300A
    30ns/265ns
    3.7mJ (on), 1.9mJ (off)
    20V
    5.7V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH60N60SMD
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 120A 600W TO247
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    600W
    -
    -
    Standard
    600W
    -
    N-CHANNEL
    600V
    120A
    2.5V @ 15V, 60A
    场站
    189nC
    180A
    18ns/104ns
    1.26mJ (on), 450μJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    6.39g
    SILICON
    1.9V
    3
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    FGH60N60
    70ns
    Single
    COLLECTOR
    27 ns
    电源控制
    39 ns
    TO-247AB
    59 ns
    163 ns
    68ns
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
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