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首页 全部分类 IGW100N60H3FKSA1 vs IKW50N60H3FKSA1

IGW100N60H3FKSA1备选型号: IKW50N60H3FKSA1

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IGW100N60H3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 140A TO247-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    714W
    未说明
    未说明
    Standard
    714W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    600V
    140A
    2.3V @ 15V, 100A
    沟渠现场停车
    625nC
    300A
    30ns/265ns
    3.7mJ (on), 1.9mJ (off)
    20V
    5.7V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKW50N60H3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 100A 333W TO247-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    333W
    -
    -
    Standard
    333W
    -
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    2.3V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    315nC
    200A
    23ns/235ns
    2.36mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    3
    3
    Single
    电源控制
    130 ns
    54 ns
    297 ns
    无
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