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IKB20N60TAATMA1备选型号: FGB20N6S2D
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- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
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- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
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- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
IGBT 600V 40A 166W TO263-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop™2017yes最后一次购买1 (Unlimited)2156WSINGLE鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard156W电源控制无卤素N-CHANNEL600V40A41 ns35 ns2.05V @ 15V, 20A287 ns沟渠现场停车120nC60A18ns/199ns310μJ (on), 460μJ (off)ROHS3 Compliant含铅-------
IGBT 600V 28A 125W TO263AB-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-600V-55°C~150°C TJTube-2002-Obsolete1 (Unlimited)-125W--------Standard----2.7V28A31 ns-2.7V @ 15V, 7A--30nC40A7.7ns/87ns25μJ (on), 58μJ (off)符合RoHS标准无铅32.2V600V28ASingle125W4.5ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 160W D2PAK | 对比 |
| FGB20N6S2D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 125W TO263AB | 对比 |
| FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | 对比 |
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