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IKB20N60TAATMA1备选型号: IRG4BC40W-SPBF
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
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- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
IGBT 600V 40A 166W TO263-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop™2017yes最后一次购买1 (Unlimited)2156WSINGLE鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard156W电源控制无卤素N-CHANNEL600V40A41 ns35 ns2.05V @ 15V, 20A287 ns沟渠现场停车120nC60A18ns/199ns310μJ (on), 460μJ (off)ROHS3 Compliant含铅--------------------- IGBT 600V 40A 160W D2PAK8 WeeksSurface Mount, Through Hole表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V-55°C~150°C TJTube-2004-最后一次购买1 (Unlimited)2160WSINGLE鸥翼26030-R-PSSO-G2-COLLECTORStandard-电源控制-N-CHANNEL2.5V40A-48 ns2.5V @ 15V, 20A294 ns-98nC160A27ns/100ns110μJ (on), 230μJ (off)ROHS3 Compliant无铅32.05Ve3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低导通损耗600V40ADual160W27 ns23ns20V6V110ns4.83mm10.668mm4.826mm无无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 160W D2PAK | 对比 |
 | FGB20N6S2D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 125W TO263AB | 对比 |
| FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | 对比 |
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