IKB20N60TAATMA1备选型号: IRG4BC30KDSTRRP
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 基本部件号
- 元素配置
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 辐射硬化
- IGBT 600V 40A 166W TO263-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop™2017yes最后一次购买1 (Unlimited)2156WSINGLE鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard156W电源控制无卤素N-CHANNEL600V40A41 ns35 ns2.05V @ 15V, 20A287 ns沟渠现场停车120nC60A18ns/199ns310μJ (on), 460μJ (off)ROHS3 Compliant含铅----------
- IGBT 600V 28A 100W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2000-最后一次购买1 (Unlimited)2100W-鸥翼26030-R-PSSO-G2-COLLECTORStandard100WMOTOR CONTROL-N-CHANNEL2.7V28A42 ns100 ns2.7V @ 15V, 16A370 ns-67nC56A60ns/160ns600μJ (on), 580μJ (off)ROHS3 Compliant-3e3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier低导通损耗IRG4BC30KD-SPBFSingle20V6V120ns无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 160W D2PAK | 对比 |
![]() | FGB20N6S2D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 125W TO263AB | 对比 |
![]() | FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | 对比 |




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