IKD04N60RAATMA1备选型号: IKD06N60RFATMA1
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- 功率 - 最大
- 无卤素
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 极性/通道类型
- 最大击穿电压
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- Trans IGBT Module N-CH 600V 8A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63600V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop™2013最后一次购买1 (Unlimited)EAR9975W未说明未说明SingleStandard75W无卤素600V8A43 ns2.1V @ 15V, 4ATrench27nC12A14ns/146ns90μJ (on), 150μJ (off)ROHS3 Compliant含铅---------
- IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63400V, 6A, 23 Ω, 15V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop®2008活跃1 (Unlimited)EAR99100W未说明未说明SingleStandard100W无卤素600V12A48 ns2.5V @ 15V, 6A沟渠现场停车48nC18A7ns/106ns90μJ (on), 90μJ (off)ROHS3 Compliant含铅e3noTin (Sn)not_compliant*KD06N60N-CHANNEL600V20V5.7V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3 | 对比 |
![]() | FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | 对比 |
![]() | STGD5H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | 对比 |






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