IKD04N60RAATMA1备选型号: STGD5H60DF
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- 无卤素
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
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- Td(开/关)@25°C
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- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 基本部件号
- 最大击穿电压
- Trans IGBT Module N-CH 600V 8A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63600V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop™2013最后一次购买1 (Unlimited)EAR9975W未说明未说明SingleStandard75W无卤素600V8A43 ns2.1V @ 15V, 4ATrench27nC12A14ns/146ns90μJ (on), 150μJ (off)ROHS3 Compliant含铅---
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S20 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)EAR9983W未说明未说明-Standard83W-1.95V10A134.5 ns1.95V @ 15V, 5A沟渠现场停车43nC20A30ns/140ns56μJ (on), 78.5μJ (off)ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)STGD5600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3 | 对比 |
![]() | FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | 对比 |
![]() | STGD5H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | 对比 |






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