IKD04N60RATMA1备选型号: SGR6N60UFTF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率耗散
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin TO-252 T/R16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON600V2.1V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop™2005e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)低导通损耗75W鸥翼未说明not_compliant未说明3R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard75W电源控制无卤素N-CHANNEL2.1V8A43 ns600V20 ns2.1V @ 15V, 4A342 ns沟渠现场停车27nC12A14ns/146ns90μJ (on), 150μJ (off)20V5.7V无SVHCROHS3 Compliant-----
- IGBT 600V 6A 30W DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-600V2.1V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)----Obsolete1 (Unlimited)----30W-------Single-Standard----600V6A---2.6V @ 15V, 3A--15nC25A15ns/60ns57μJ (on), 25μJ (off)---符合RoHS标准600V3ASG*6N6030W无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | 对比 |
![]() | SGR6N60UFTF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | 对比 |
![]() | SGR6N60UFTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | 对比 |




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