Infineon Technologies IKD04N60RATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 4A, 43 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchStop™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

75W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

75W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

8A

反向恢复时间

43 ns

最大击穿电压

600V

接通时间

20 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 4A

关断时间-标准值（toff)

342 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

27nC

集极脉冲电流（Icm）

12A

Td（开/关）@25°C

14ns/146ns

开关能量

90μJ (on), 150μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.7V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant