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首页 全部分类 IKD10N60RFATMA1 vs IRG4RC10SDTRPBF

IKD10N60RFATMA1备选型号: IRG4RC10SDTRPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IKD10N60RFATMA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    TrenchStop®
    2008
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    150W
    未说明
    未说明
    *KD10N60
    Single
    Standard
    150W
    无卤素
    N-CHANNEL
    600V
    20A
    72 ns
    600V
    2.5V @ 15V, 10A
    沟渠现场停车
    64nC
    30A
    12ns/168ns
    190μJ (on), 160μJ (off)
    20V
    5.7V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4RC10SDTRPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 14A 38W DPAK
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    38W
    260
    30
    IRG4RC10SDPBF
    Single
    Standard
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.8V
    14A
    28 ns
    600V
    1.8V @ 15V, 8A
    -
    15nC
    18A
    76ns/815ns
    310μJ (on), 3.28mJ (off)
    20V
    6V
    符合RoHS标准
    -
    3
    350.003213mg
    SILICON
    1.7V
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    镍外哑光锡
    低导通损耗
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    38W
    COLLECTOR
    电源控制
    32ns
    TO-252AA
    106 ns
    1780 ns
    1080ns
    1.2446mm
    6.7056mm
    6.223mm
    无SVHC
    无
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