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首页 全部分类 IKP08N65F5XKSA1 vs STGP10M65DF2

IKP08N65F5XKSA1备选型号: STGP10M65DF2

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IKP08N65F5XKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    650V
    1.6V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    70W
    未说明
    未说明
    Single
    70W
    Standard
    无卤素
    N-CHANNEL
    1.6V
    18A
    41 ns
    2.1V @ 15V, 8A
    22nC
    24A
    10ns/116ns
    70μJ (on), 20μJ (off)
    20V
    4.8V
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGP10M65DF2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    650V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    115W
    未说明
    未说明
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    2V
    20A
    96 ns
    2V @ 15V, 10A
    28nC
    40A
    19ns/91ns
    120μJ (on), 270μJ (off)
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    STGP10
    115W
    沟渠现场停车
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