注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.723527
10
¥9.173139
100
¥8.653904
500
¥8.164061
1000
¥7.701944
STMicroelectronics STGP10M65DF2
- 收藏
- 对比
STGP10M65DF2
2381-STGP10M65DF2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGP10M65DF2详情
STMicroelectronics STGP10M65DF2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
30 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55V
Test Conditions
400V, 10A, 22 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
115W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGP10
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
115W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
20A
反向恢复时间
96 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 10A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
28nC
集极脉冲电流(Icm)
40A
Td(开/关)@25°C
19ns/91ns
开关能量
120μJ (on), 270μJ (off)
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGP10M65DF2拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics









哦! 它是空的。