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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.465948
10
¥9.873536
100
¥9.314657
500
¥8.787412
1000
¥8.290011
Infineon Technologies IKP08N65F5XKSA1
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- 对比
IKP08N65F5XKSA1
1211-IKP08N65F5XKSA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
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IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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¥
总价: ¥
IKP08N65F5XKSA1详情
Infineon Technologies IKP08N65F5XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Test Conditions
400V, 4A, 48 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
TrenchStop®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
70W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
功率耗散
70W
输入类型
Standard
无卤素
无卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.6V
最大集电极电流
18A
反向恢复时间
41 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 8A
闸门收费
22nC
集极脉冲电流(Icm)
24A
Td(开/关)@25°C
10ns/116ns
开关能量
70μJ (on), 20μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
4.8V
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IKP08N65F5XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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