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IKP08N65H5XKSA1备选型号: STGP10M65DF2

IKP08N65H5XKSA1

Infineon Technologies

In a Tube of 500, Infineon IKP08N65H5XKSA1 IGBT, 18 A 650 V, 3-Pin TO-220AB

16 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
3
6.000006g
650V
1.65V
-40°C~175°C TJ
Tube
TrenchStop®
2008
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
Tin (Sn)
70W
未说明
未说明
Single
Standard
70W
无卤素
1.65V
18A
40 ns
2.1V @ 15V, 8A
22nC
24A
11ns/115ns
70μJ (on), 30μJ (off)
15.95mm
10.36mm
4.57mm
Unknown
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
STGP10M65DF2

STMicroelectronics

STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pins

30 Weeks
通孔
通孔
TO-220-3
3
-
650V
1.55V
-55°C~175°C TJ
Tube
-
-
-
-
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
-
115W
未说明
未说明
Single
Standard
115W
-
2V
20A
96 ns
2V @ 15V, 10A
28nC
40A
19ns/91ns
120μJ (on), 270μJ (off)
-
-
-
无SVHC
ROHS3 Compliant
-
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
STGP10
沟渠现场停车
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