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IKW30N60H3FKSA1备选型号: HGTG12N60A4D
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- 元素配置
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- 生命周期状态
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- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 附加功能
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- 功率耗散
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- 长度
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IGBT 600V 60A 187W TO247-316 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON600V-40°C~175°C TJTubeTrenchStop®2005e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)187W未说明未说明*KW30N603不合格SingleStandard187W电源控制N-CHANNEL600V60A38 ns50 ns2.4V @ 15V, 30A262 ns沟渠现场停车165nC120A21ns/207ns1.38mJROHS3 Compliant无铅------------------
IGBT 600V 54A 167W TO2474 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON600V-55°C~150°C TJTube-2002e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99-167W--HGTG12N60--SingleStandard-电源控制N-CHANNEL600V54A30 ns33 ns2.7V @ 15V, 12A180 ns-78nC96A17ns/96ns55μJ (on), 50μJ (off)ROHS3 Compliant无铅ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)Tin6.39g2V低导通损耗8541.29.00.95600V54A167WCOLLECTOR17 ns16ns60A20.82mm15.87mm4.82mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HGTG12N60A4D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 54A 167W TO247 | 对比 |
 | STGW20NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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