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首页 全部分类 IKW30N60TAFKSA1 vs HGTG30N60B3

IKW30N60TAFKSA1备选型号: HGTG30N60B3

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  • 生命周期状态
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  • 额定电流
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  • 功率耗散
  • 最大击穿电压
  • 连续集电极电流
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IKW30N60TAFKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 187W TO247-3-21
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2014
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    187W
    未说明
    未说明
    *KW30N60
    AEC-Q101
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    187W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    143 ns
    50 ns
    2.05V @ 15V, 30A
    382 ns
    沟渠现场停车
    167nC
    90A
    23ns/254ns
    1.46mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG30N60B3
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3IGBT Single Transistor, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    208W
    -
    -
    HGTG30N60
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    -
    600V
    60A
    -
    56 ns
    1.9V @ 15V, 30A
    365 ns
    -
    170nC
    220A
    36ns/137ns
    500μJ (on), 680μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    6.39g
    1.45V
    e3
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    60A
    NPN
    208W
    600V
    60A
    20V
    6V
    150ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
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