ON Semiconductor HGTG30N60B3

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 30A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

208W

额定电流

60A

基本部件号

HGTG30N60

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

208W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

最大击穿电压

600V

接通时间

56 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 30A

连续集电极电流

60A

关断时间-标准值（toff)

365 ns

闸门收费

170nC

集极脉冲电流（Icm）

220A

Td（开/关）@25°C

36ns/137ns

开关能量

500μJ (on), 680μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

150ns

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅