IMT17-7备选型号: DMB2227A-7
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 晶体管应用
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 频率转换
- Bipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo19 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6629.993795mgSILICON50V-600mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99300mW鸥翼260200MHz40MT176PNPDual300mW200MHz2 PNP (Dual)50V500mA120 @ 100mA 3V100nA ICBO600mV @ 50mA, 500mA200MHz50V60V5V1.1mm3mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- Bipolar Transistors - BJT 300mW /-600mA16 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-6629.993795mgSILICON60V--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99300mW鸥翼260300MHz40-6NPN, PNPDual300mW300MHzNPN, PNP1V600mA100 @ 150mA 10V10nA ICBO1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA300MHz60V75V5V1.1mm3mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant-Matte Tin (Sn)SWITCHING40V 60V300MHz 200MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMB2227A-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT 300mW /-600mA | 对比 |
![]() | DCX124EK-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R | 对比 |
| RN4606(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SC-74, SOT-457 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V | 对比 |




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