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首页 全部分类 IMT17-7 vs RN4606(TE85L,F)

IMT17-7备选型号: RN4606(TE85L,F)

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • Diodes Incorporated
    IMT17-7
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo
    19 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    29.993795mg
    SILICON
    50V
    -600mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    300mW
    鸥翼
    260
    200MHz
    40
    MT17
    6
    PNP
    Dual
    300mW
    200MHz
    2 PNP (Dual)
    50V
    500mA
    120 @ 100mA 3V
    100nA ICBO
    600mV @ 50mA, 500mA
    200MHz
    50V
    60V
    5V
    1.1mm
    3mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4606(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V
    11 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    -
    -
    SILICON
    50V
    -
    -
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    300mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN, PNP
    Dual
    -
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    100μA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    -
    5V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    200MHz 250MHz
    4.7k Ω
    100mA
    47k Ω
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