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首页 全部分类 IMT18T110 vs IMD16AT108

IMT18T110备选型号: IMD16AT108

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  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    IMT18T110
    ROHM Semiconductor
    TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    SILICON
    12V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    8541.21.00.75
    300mW
    鸥翼
    260
    10
    6
    PNP
    Dual
    260MHz
    2 PNP (Dual)
    12V
    500mA
    270 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 200mA
    260MHz
    15V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    IMD16AT108
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    -
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡银铜
    -
    300mW
    鸥翼
    260
    10
    6
    NPN, PNP
    Dual
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    500mA
    100 @ 1mA 5V / 82 @ 50mA 5V
    -
    300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100μA, 1mA
    250MHz
    -
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    300mV
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    500mA
    MD16A
    100mA
    50V
    2
    300mW
    SWITCHING
    50V
    250MHz
    100k Ω, 2.2k Ω
    100mA
    22k Ω
    1.1mm
    2.9mm
    1.6mm
    无SVHC
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