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首页 全部分类 IMT18T110 vs NSS12600CF8T1G

IMT18T110备选型号: NSS12600CF8T1G

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 端子位置
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • ROHM Semiconductor
    IMT18T110
    ROHM Semiconductor
    TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    SILICON
    12V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    8541.21.00.75
    300mW
    鸥翼
    260
    10
    6
    PNP
    Dual
    260MHz
    2 PNP (Dual)
    12V
    500mA
    270 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 200mA
    260MHz
    15V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSS12600CF8T1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT SBN BE (MY1) CHPFET 12V
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    12V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    830mW
    C 弯管
    265
    40
    8
    -
    Single
    100MHz
    PNP
    170mV
    5A
    250 @ 1A 2V
    100nA ICBO
    170mV @ 400mA, 4A
    100MHz
    -12V
    7V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    -140mV
    DUAL
    不合格
    SWITCHING
    PNP
    590ns
    350ns
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