IPA60R230P6XKSA1备选型号: FDMC7696
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 600V TO220FP-318 Weeks表面贴装通孔TO-220-3 Full Pack3PG-TO220-FP6.000006g16.8A Tc4.5V @ 530μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008活跃1 (Unlimited)150°C-55°C112 nsN-Channel230mOhm @ 6.4A, 10V无卤素1450pF @ 100V31nC @ 10V7ns600V±20V6 ns16.8A20V600V600V1.45nF207mOhm230 mΩROHS3 Compliant无铅---------------------
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8-180mg12A Ta 20A Tc3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)---9 nsN-Channel11.5m Ω @ 12A, 10V-1430pF @ 15V22nC @ 10V2ns-±20V2 ns20A20V-30V---ROHS3 Compliant无铅SILICONe4yes5EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUALS-PDSO-N5Single增强型MOSFET25WDRAINSWITCHING2V50A2 V750μm3.3mm3.3mm无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMC7696 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 | |
| FDMS86520L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 | |
![]() | AUIRFZ44NS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | 对比 |




哦! 它是空的。