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首页 全部分类 IPA60R400CEXKSA1 vs IPA60R330P6XKSA1

IPA60R400CEXKSA1备选型号: IPA60R330P6XKSA1

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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPA60R400CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    6.000006g
    SILICON
    10.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    400m Ω @ 3.8A, 10V
    3.5V @ 300μA
    无卤素
    700pF @ 100V
    32nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    8 ns
    10.3A
    TO-220AB
    20V
    600V
    0.4Ohm
    600V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R330P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    6.000006g
    -
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    330mOhm @ 4.5A, 10V
    4.5V @ 370μA
    无卤素
    1010pF @ 100V
    22nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    7 ns
    12A
    -
    20V
    600V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    PG-TO220-FP
    150°C
    -55°C
    600V
    1.01nF
    297mOhm
    330 mΩ
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